窒化アルミニウム基板への応用
AlN は、その高い熱伝導率と優れた電気絶縁性により、マイクロエレクトロニクス産業で使用されてきました。
表面の酸化は室温でも空気中で起こりますが、酸化アルミニウム層は 1370℃ まで材料を保護できます。メタライゼーション法を利用すると、アルミナや酸化ベリリウムと同様に窒化アルミニウムをエレクトロニクス用途に使用できます。
窒化アルミニウムセラミックの硬度は、従来の工業用セラミックであるアルミナよりもさらに高く、優れた耐摩耗性が必要な用途には理想的な材料です。
AlNセラミックの利点
* Very high thermal conductivity (>170W/mK)
* High electrical insulation capacity (>1.1012Ωcm)
* Strength according to the double ring method >320MPa（二軸強度）
* 低熱膨張 4 ～ 6x10-6K-1(20度から1000度の間)
* 優れた金属化能力
